Fotovoltaik-Technologie

Halbierter Schnitt

Bifacial

IBC

TOPCon

HJT

Shingled

Was ist HJT-Technologie für Solarmodule?

Maysun HJT-Solarzellen-Formdisplay. HJT ist ein spezieller PN-Übergang, der zwei verschiedene Technologien in einer Batterie kombiniert: eine kristalline Siliziumbatterie, die zwischen zwei Schichten aus amorphem "Dünnfilm"-Silizium eingebettet ist.

Was ist HJT-Technologie?

HJT-Solarzellen haben ein bifaziales Strukturdesign, das das einfallende Licht und das Streulicht von beiden Seiten absorbieren kann -Typ monokristalliner Siliziumwafer nach dem Texturieren und Reinigen der Oberfläche, und dann wird eine sehr dünne intrinsische Silizium-Passivschicht und eine N-Typ-Silizium-dotierte Schicht auf der anderen Seite abgeschieden.
Nach der Abscheidung von amorphen Siliziumschichtstapeln wird eine PVD-Magnetron-Sputter-Beschichtungstechnologie angewendet, um einen transparenten leitfähigen Oxidfilm (TCo) und einen Metallstapel auf beiden Seiten der Zellen abzuscheiden.
Schließlich werden die Metallgitter auf beiden Seiten durch unsere innovative Metallisierungstechnologie geformt.

Vorteil der Maysun HJT-Solarzelle: Der Wirkungsgrad beträgt bis zu 24%-25%. 210 mm großer Siliziumwafer und langsame Dämpfungsgeschwindigkeit. Die HJT-Solarzelle ist ein doppelseitiges Design, und die Folienschicht auf der Rückseite erhöht die Leistung aufgrund des vom Boden reflektierten Sonnenlichts. HJT-Zellen sind dünner, etwa 160~100μm.

Vorteile der HJT-Technologie

Hohe Effizienz
Große Größe
Geringe Dämpfung
Hohes Doppelseitenverhältnis
Weniger Prozess
Hinning

Maysun HJT Solarmodule im direkten Vergleich. HJT hat eine längere Lebensdauer der Stromerzeugung, daher hat es eine höhere Leistung als jede andere hocheffiziente Technologie

HJT PV-Module

Unter Verwendung von Heterojunction-Solarzellen mit höherem Wirkungsgrad, bis zu mehr als 21,5% Moduleffizienz.
Führende Half-Cut-Technologie der HJT-Zelle.
Der stabilste Leistungstemperaturkoeffizient von -0,24% führt zu einer stabilen Ertragssteigerung.
Bei Verwendung eines N-Typ-Wafers wird kein LID durch das B-O-Paar verursacht
Ausgezeichnete PID-Beständigkeit.
85% bifazialer Faktor bringt mehr zusätzlichen Ertragsgewinn von Rückseite zu Rückseite.

Die Entwicklungsrichtung der hocheffizienten Solarzellenindustrie. Derzeit ist die am weitesten verbreitete Einkristall-PERC-Batterie die Einkristall-Siliziumbatterie vom P-Typ, und neue Solarzellentechnologien wie TOPCon, HJT, IBC usw. beziehen sich hauptsächlich auf die Einkristall-Siliziumbatterie vom N-Typ.

Entwicklungsrichtung der hocheffizienten Solarzellenindustrie

Maysun HJT-Solarzellenstrukturdiagramm. HJT ist ein spezieller PN-Übergang, der aus amorphem Silizium und kristallinen Siliziummaterialien gebildet wird.Es ist eine Art N-Typ-Batterie, indem ein amorpher Siliziumfilm auf kristallinem Silizium abgeschieden wird. HJT-Batteriestrukturdiagramm: Frontelektrode, TCO, Siliziumdioxidschicht, Passivierungsschicht, n-Diffusionsschicht, P-Typ kristallines Silizium, Passivierungsschicht, Siliziumnitridschicht, hintere elektrische Feldschicht, Rückelektrode.

Das Strukturdiagramm der HJT-Technologie